Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329517| Заглавие документа: | Интерпозеры на основе алюмооксидных пластин со встроенной системой алюминиевой металлизации |
| Другое заглавие: | Interposers based on alumina plates with built-in aluminum metallization system / D. L. Shymanovich |
| Авторы: | Шиманович, Д. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 582-587. |
| Аннотация: | Изучены и оптимизированы технологические приемы и режимы формирования интерпозеров на основе однослойных и двухслойных мембранных алюмооксидных пластин со встроенной внутри диэлектрического объема системой алюминиевых пассивных элементов, коммутационных межсоединений и сквозных переходных элементов, полученных локальным односторонним и двухсторонним сквозным анодированием с использованием дополнительного биполярного анодирования. Изготовлены однослойные и двухслойные интерпозеры размером соответственно 1,2×1,2 см и 1,0×1,0 см. Показано, что конструктивно-технологически толщина Al2O3-интерпозеров может варьироваться от ~30 до 100 мкм. Продемонстрировано, что толщина имплантированных Al-проводников может составлять от ~5 до ~100 мкм, причем возможна различная глубина их залегания в объеме мембранных Al2O3-пластин |
| Аннотация (на другом языке): | The technological methods and regimes of interposers formation based on single-layer and double-layer membrane alumina plates with a system of aluminum passive elements, conductive interconnections and through transition elements built inside the dielectric body, obtained by local one-sided and two-sided through thickness anodizing using additional bipolar anodizing, were studied and optimized. Single-layer and double-layer interposers with dimensions of 1,2×1,2 cm and 1,0×1,0 cm, respectively, were fabricated. It was shown that the thickness of Al2O3 interposers can be changed from ~ 30 to 100 µm in terms of design and technology. It was demonstrated that the thickness of implanted Al conductors can be from ~5 μm to ~100 μm, and different depths of their location inside Al2O3 membrane plates are possible |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329517 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 582-587.pdf | 412,2 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.