Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329517Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Шиманович, Д. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2025-05-22T14:48:59Z | - |
| dc.date.available | 2025-05-22T14:48:59Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 582-587. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-739-8 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329517 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Изучены и оптимизированы технологические приемы и режимы формирования интерпозеров на основе однослойных и двухслойных мембранных алюмооксидных пластин со встроенной внутри диэлектрического объема системой алюминиевых пассивных элементов, коммутационных межсоединений и сквозных переходных элементов, полученных локальным односторонним и двухсторонним сквозным анодированием с использованием дополнительного биполярного анодирования. Изготовлены однослойные и двухслойные интерпозеры размером соответственно 1,2×1,2 см и 1,0×1,0 см. Показано, что конструктивно-технологически толщина Al2O3-интерпозеров может варьироваться от ~30 до 100 мкм. Продемонстрировано, что толщина имплантированных Al-проводников может составлять от ~5 до ~100 мкм, причем возможна различная глубина их залегания в объеме мембранных Al2O3-пластин | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Интерпозеры на основе алюмооксидных пластин со встроенной системой алюминиевой металлизации | |
| dc.title.alternative | Interposers based on alumina plates with built-in aluminum metallization system / D. L. Shymanovich | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The technological methods and regimes of interposers formation based on single-layer and double-layer membrane alumina plates with a system of aluminum passive elements, conductive interconnections and through transition elements built inside the dielectric body, obtained by local one-sided and two-sided through thickness anodizing using additional bipolar anodizing, were studied and optimized. Single-layer and double-layer interposers with dimensions of 1,2×1,2 cm and 1,0×1,0 cm, respectively, were fabricated. It was shown that the thickness of Al2O3 interposers can be changed from ~ 30 to 100 µm in terms of design and technology. It was demonstrated that the thickness of implanted Al conductors can be from ~5 μm to ~100 μm, and different depths of their location inside Al2O3 membrane plates are possible | |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 582-587.pdf | 412,2 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.