Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/324415Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-01-14T10:19:17Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-14T10:19:17Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. - 2024. - № 2. - С. 41-46. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/324415 | - |
| dc.description.abstract | Методом индентирования исследована модификация в процессе длительного хранения прочностных свойств имплантированных ионами Sb+ пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии. Зависимости микротвердости от нагрузки после имплантации были немонотонными, что обусловлено наличием у границы раздела фоторезист/кремний упругих напряжений. При длительном хранении наблюдалась их релаксация, обусловившая исчезновение немонотонности на зависимостях микротвердости от нагрузки. Обнаружено сшивание молекул фенолформальдегидной смолы при длительном хранении. Этот процесс был стимулирован разложением в процессе ионной имплантации диазохинона. После длительного хранения имплантированная фоторезистивная пленка становится менее подверженной упругопластическому восстановлению после снятия нагрузки. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках задания 2.16 Государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)». | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Прочностные свойства имплантированных ионами сурьмы пленок диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на монокристаллическом кремнии | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.52928/2070-1624-2024-43-2-41-46 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ПГУ2024_2_41.pdf | 812,84 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.