Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/31528| Title: | Влияние режимов термообработки ионно- имплантированных слоев кремния на выход фотолюминесценции квантовых точек InAs |
| Authors: | Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Мильчанин, О. В. Гребень, М. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/31528 |
| Appears in Collections: | 2010. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА ВЫХОД.pdf | 170,95 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.