Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/31528
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorВласукова, Л. А.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorГребень, М. В.-
dc.date.accessioned2013-02-04T09:19:06Z-
dc.date.available2013-02-04T09:19:06Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationКвантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010.ru
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/31528-
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние режимов термообработки ионно- имплантированных слоев кремния на выход фотолюминесценции квантовых точек InAsru
Располагается в коллекциях:2010. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА ВЫХОД.pdf170,95 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.