Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/31528
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | - |
dc.contributor.author | Власукова, Л. А. | - |
dc.contributor.author | Мильчанин, О. В. | - |
dc.contributor.author | Гребень, М. В. | - |
dc.date.accessioned | 2013-02-04T09:19:06Z | - |
dc.date.available | 2013-02-04T09:19:06Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.citation | Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010. | ru |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/31528 | - |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Влияние режимов термообработки ионно- имплантированных слоев кремния на выход фотолюминесценции квантовых точек InAs | ru |
Располагается в коллекциях: | 2010. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА ВЫХОД.pdf | 170,95 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.