Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/31528
Заглавие документа: Влияние режимов термообработки ионно- имплантированных слоев кремния на выход фотолюминесценции квантовых точек InAs
Авторы: Комаров, Ф. Ф.
Власукова, Л. А.
Мильчанин, О. В.
Гребень, М. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2010
Издатель: БГУ
Библиографическое описание источника: Квантовая электроника: восьмая Междунар. науч.-техн.конф. (Минск, 22–25 ноября 2010 г.): материалы. – Мн.,2010.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/31528
Располагается в коллекциях:2010. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
ВЛИЯНИЕ РЕЖИМОВ ТЕРМООБРАБОТКИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА ВЫХОД.pdf170,95 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.