Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/315247
Title: Моделирование величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
Authors: Жевняк, О. Г.
Борздов, В. М.
Борздов, А. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2024
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024) : материалы IV Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 25–26 апр. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (гл. ред.), Н. Н. Яцков, В. В. Гринёв. – Минск : БГУ, 2024. – С. 164-167.
Abstract: В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе работы современных элементов флеш-памяти, рассчитаны зависимости относительной величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзистора. Рассмотрено влияние на них изменения формы потенциального барьера вдоль канала, а также энергии и дрейфовой скорости электронов. Показано, что эти зависимости имеют слабо выраженный U-образный вид
Description: Секция «Компьютерное моделирование процессов и систем»
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/315247
ISBN: 978-985-881-636-0
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:2024. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
164-167.pdf542,39 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.