Моделирование величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти

Жевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/315247

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Жевняк, О. Г.
dc.contributor.author	Борздов, В. М.
dc.contributor.author	Борздов, А. В.
dc.date.accessioned	2024-06-28T12:11:11Z	-
dc.date.available	2024-06-28T12:11:11Z	-
dc.date.issued	2024
dc.identifier.citation	Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024) : материалы IV Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 25–26 апр. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (гл. ред.), Н. Н. Яцков, В. В. Гринёв. – Минск : БГУ, 2024. – С. 164-167.
dc.identifier.isbn	978-985-881-636-0
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/315247	-
dc.description	Секция «Компьютерное моделирование процессов и систем»
dc.description.abstract	В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе работы современных элементов флеш-памяти, рассчитаны зависимости относительной величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзистора. Рассмотрено влияние на них изменения формы потенциального барьера вдоль канала, а также энергии и дрейфовой скорости электронов. Показано, что эти зависимости имеют слабо выраженный U-образный вид
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Моделирование величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
dc.type	conference paper
Appears in Collections:	2024. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
164-167.pdf		542,39 kB	Adobe PDF	View/Open

Show simple item record Google Scholar