Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/315247
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖевняк, О. Г.
dc.contributor.authorБорздов, В. М.
dc.contributor.authorБорздов, А. В.
dc.date.accessioned2024-06-28T12:11:11Z-
dc.date.available2024-06-28T12:11:11Z-
dc.date.issued2024
dc.identifier.citationКомпьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024) : материалы IV Междунар. науч.-практ. конф., Минск, 25–26 апр. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Скакун (гл. ред.), Н. Н. Яцков, В. В. Гринёв. – Минск : БГУ, 2024. – С. 164-167.
dc.identifier.isbn978-985-881-636-0
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/315247-
dc.descriptionСекция «Компьютерное моделирование процессов и систем»
dc.description.abstractВ настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе работы современных элементов флеш-памяти, рассчитаны зависимости относительной величины паразитного туннельного тока от координаты вдоль проводящего канала транзистора. Рассмотрено влияние на них изменения формы потенциального барьера вдоль канала, а также энергии и дрейфовой скорости электронов. Показано, что эти зависимости имеют слабо выраженный U-образный вид
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
dc.typeconference paper
Располагается в коллекциях:2024. Компьютерные технологии и анализ данных (CTDA’2024)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
164-167.pdf542,39 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.