Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306926Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Ермакова, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-12-19T18:13:09Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-19T18:13:09Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2023): матер. 15-й Между-нар. конф., Минск, Беларусь, 26–29 сент. 2023 г. / БГУ; редкол.: В.В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск: БГУ, 2021. – С. 158–160 | ru |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304308 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306926 | - |
| dc.description.abstract | Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные ионами гелия. Кинетическая энергия иона 5 МэВ. Флюенс облучения варьировался от 10^10 до 10^12 см^-2. Измерялись вольт-фарадные характеристики, регистрировались спектры DLTS. Показана возможность регистрации методом спектроскопии DLTS поверхностных состояний на границе раздела SiO2/n-Si. Установлено, что варьирование электрического напряжения заполнения ловушек позволяет выделить спектры DLTS радиационных дефектов. Облучение ионами гелия приводит как к генерации дивакансий и комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор, так и к увеличению концентрации дефектов на границе раздела кремний/диоксид кремния. Помимо дивакансий, комплексов вакансия-кислород и вакансия-фосфор на спектрах DLTS структур, облученных ионами гелия флюенсами 10^11 и 10^12 см^-2 присутствует центр с энергией ионизации Ec – 0.30±0.04 эВ. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия | ru |
| dc.title.alternative | Deep-level transient spectroscopy of Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions / N.I. Gorbachuk, N.A. Poklonski, K.A. Yermakova, S.V. Shpakovski | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions were studied. The Al/SiO2/n-Si structures were fabricated on (100) wafers of single-crystal n-type silicon grown by the Czochralski method. The resistivity of the wafers was 4.5 Ohm·cm. A layer of silicon dioxide (SiO2) with a thickness of 420 nm was formed by thermal oxidation. On the planar side, the area of aluminum plating with a thickness of 0.7 μm was 1.85×1.85 mm^2. From the Al/SiO2 side, the structures were irradiated with helium ions. The kinetic energy of the ion was 5 MeV. The average projective range calculated using SRIM program was ≈24 µm. The irradiation fluence varied from 10^10 to 10^12 cm^-2. Capacitance-voltage characteristics were measured, and DLTS spectra were recorded. The DLTS spectra were recorded using CE-7C capacitance spectrometer in the temperature range of 80–300 K. The voltage value of the filling pulse Up was varied in the range from −0.5 to −10 V. The voltage value of the emission pulse U e was varied in the range from −5 to −15 V. The duration of the filling pulse was tp = 0.75 ms, emission pulse — te = 20 ms. The possibility of registering surface states at the SiO2/n-Si interface by DLTS spectroscopy is shown. It is found that varying the filling voltage makes it possible to isolate the DLTS spectra of irradiation-induced defects. Irradiation with helium ions leads both to the generation of divacancies and vacancy-oxygen and vacancy-phosphorus complexes and to the increase in the concentration of defects at the silicon/dioxide interface. In addition to divacancies and vacancy-oxygen and vacancy-phosphorus complexes, the DLTS spectra of structures irradiated with helium ions with fluences of 10^11 and 10^12 cm^-2 contain a center with an ionization energy of Ec − 0.30±0.04 eV | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.