Модель донорно-акцепторной фотолюминесценции в кристаллах германия при низких температурах

Abstract

Предложена квазиклассическая модель расчета донорно-акцепторной (DA) фотолюминесценции кристаллических полупроводников с водородоподобными примесями при низких (гелиевых) температурах и низких уровнях фотовозбуждения. Считается, что легирующие и компенсирующие атомы примесей образуют в кристаллической матрице нестехиометрическую простую кубическую «примесную решетку». Распределение уровней энергии и основных, и возбужденных состояний примесей предполагается гауссовым. Результаты расчета по предложенной формуле зависимости положения максимума линии DA фотолюминесценции от концентрации и степени компенсации основных примесей согласуются с известными экспериментальными данными для кристаллов германия p- и n-типа.