Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836| Title: | Формирование контактов к слоям SiC, выращенным на поликристаллическом кремнии |
| Authors: | Полонский, Н. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Abstract: | В результате проведенной работы были разработаны режимы формирования слоев SiC на поли-Si вакуумно-термическим методом методами растровой электронной микроскопии и резерфордоского обратного рассеяние определены толщины слоев SiC после различной длительности карбидизации исследованы электрофизические характеристики слоев SiC на поли-Si. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Полонский Н.В Аннотация магистерской.pdf | 177,47 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.