Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836| Заглавие документа: | Формирование контактов к слоям SiC, выращенным на поликристаллическом кремнии |
| Авторы: | Полонский, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Аннотация: | В результате проведенной работы были разработаны режимы формирования слоев SiC на поли-Si вакуумно-термическим методом методами растровой электронной микроскопии и резерфордоского обратного рассеяние определены толщины слоев SiC после различной длительности карбидизации исследованы электрофизические характеристики слоев SiC на поли-Si. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Полонский Н.В Аннотация магистерской.pdf | 177,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.