Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Полонский, Н. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-12-18T07:34:34Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-18T07:34:34Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306836 | - |
| dc.description.abstract | В результате проведенной работы были разработаны режимы формирования слоев SiC на поли-Si вакуумно-термическим методом методами растровой электронной микроскопии и резерфордоского обратного рассеяние определены толщины слоев SiC после различной длительности карбидизации исследованы электрофизические характеристики слоев SiC на поли-Si. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Формирование контактов к слоям SiC, выращенным на поликристаллическом кремнии | ru |
| dc.type | annotation | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2023 | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Полонский Н.В Аннотация магистерской.pdf | 177,47 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.