Радиационно-индуцированная модификация спектров отражения пленок диазохинонноволачного фоторезиста при имплантации ионов Ag+

Abstract

Методом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами Ag+ пленки позитивного диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.5 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования. Показано, что ионная имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста, обусловленному радиационным сшиванием молекул новолачной смолы, а также снижением плотности ρ и молекулярной рефракции RM фоторезиста. Установлено, что при увеличении дозы имплантации Ag+ в области непрозрачности фоторезистивной пленки наблюдается рост коэффициента отражения. Обнаруженные изменения оптических свойств пленок в условиях ионной имплантации объяснены с учетом особенностей радиационно-химических процессов в фенол-формальдегидном фоторезисте.