Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482| Title: | Повышение селективности плазмохимического травления SiO2/Si при использовании смеси CHF3/CF4 |
| Other Titles: | Selectivity improvement of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF 3 /CF 4 mixture / O. Y. Nalivaiko, O. V. Karas, K. A. Darakhovich, D. V. Zhigulin |
| Authors: | Наливайко, О. Ю. Карась, О. В. Дорохович, К. А. Жигулин, Д. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 428-431. |
| Abstract: | Проведено исследование скорости и селективности плазмохимического травления слоев оксида кремния в смеси CHF3/CF4. Установлено, что при увеличении соотношения потоков CHF3/CF4 с 0,75 до 3,33 селективность травления SiO2/ПКК монотонно возрастает с 9,34 до 25,5. Это позволяет обеспечить одновременное травление контактных окон с различной глубиной с аспектным соотношением до 1,5 и с наклоном боковых стенок 82–87° |
| Abstract (in another language): | The etch rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF3/CF4 mixture was studied. It was found that with an increase in the CHF3/CF4 flow ratio from 0.75 to 3.33, the SiO2/Poly-Si etching selectivity monotonically increases from 9.34 to 25.5. This allows for simultaneous etching of contact holes with different depths with an aspect ratio of up to 1.5 and an inclination of the side walls of 82–87° |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482 |
| ISBN: | 978-985-881-530-1 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2023. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 428-431.pdf | 1,65 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.