Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | |
| dc.contributor.author | Карась, О. В. | |
| dc.contributor.author | Дорохович, К. А. | |
| dc.contributor.author | Жигулин, Д. В. | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:25:44Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-01T07:25:44Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 428-431. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование скорости и селективности плазмохимического травления слоев оксида кремния в смеси CHF3/CF4. Установлено, что при увеличении соотношения потоков CHF3/CF4 с 0,75 до 3,33 селективность травления SiO2/ПКК монотонно возрастает с 9,34 до 25,5. Это позволяет обеспечить одновременное травление контактных окон с различной глубиной с аспектным соотношением до 1,5 и с наклоном боковых стенок 82–87° | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Повышение селективности плазмохимического травления SiO2/Si при использовании смеси CHF3/CF4 | |
| dc.title.alternative | Selectivity improvement of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF 3 /CF 4 mixture / O. Y. Nalivaiko, O. V. Karas, K. A. Darakhovich, D. V. Zhigulin | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The etch rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF3/CF4 mixture was studied. It was found that with an increase in the CHF3/CF4 flow ratio from 0.75 to 3.33, the SiO2/Poly-Si etching selectivity monotonically increases from 9.34 to 25.5. This allows for simultaneous etching of contact holes with different depths with an aspect ratio of up to 1.5 and an inclination of the side walls of 82–87° | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 428-431.pdf | 1,65 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.