Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482
Заглавие документа: Повышение селективности плазмохимического травления SiO2/Si при использовании смеси CHF3/CF4
Другое заглавие: Selectivity improvement of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF 3 /CF 4 mixture / O. Y. Nalivaiko, O. V. Karas, K. A. Darakhovich, D. V. Zhigulin
Авторы: Наливайко, О. Ю.
Карась, О. В.
Дорохович, К. А.
Жигулин, Д. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2023
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 428-431.
Аннотация: Проведено исследование скорости и селективности плазмохимического травления слоев оксида кремния в смеси CHF3/CF4. Установлено, что при увеличении соотношения потоков CHF3/CF4 с 0,75 до 3,33 селективность травления SiO2/ПКК монотонно возрастает с 9,34 до 25,5. Это позволяет обеспечить одновременное травление контактных окон с различной глубиной с аспектным соотношением до 1,5 и с наклоном боковых стенок 82–87°
Аннотация (на другом языке): The etch rate and selectivity of plasma-chemical etching of silicon oxide layers in a CHF3/CF4 mixture was studied. It was found that with an increase in the CHF3/CF4 flow ratio from 0.75 to 3.33, the SiO2/Poly-Si etching selectivity monotonically increases from 9.34 to 25.5. This allows for simultaneous etching of contact holes with different depths with an aspect ratio of up to 1.5 and an inclination of the side walls of 82–87°
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305482
ISBN: 978-985-881-530-1
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
428-431.pdf1,65 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.