Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти

Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305446

Title:	Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти
Other Titles:	Simulation of gate bias effect on parasitic tunnel current in flash-memory Cells / O. G. Zhevnyak, A. V. Borzdov, V. M. Borzdov
Authors:	Жевняк, О. Г. Борздов, А. В. Борздов, В. М.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2023
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 283-286.
Abstract:	С помощью кинетического моделирования электронного переноса в элементах флеш-памяти методом Монте-Карло исследовано влияние затворного напряжения на величину плотности паразитного туннельного тока на плавающий затвор в этих структурах. Показано, что в рассматриваемых условиях с увеличением напряжения на затворе меняется характер зависимости величины данного тока вдоль проводящего канала элемента флеш-памяти
Abstract (in another language):	By using Monte Carlo simulation of electron transport in flash-memory cells the gate bias effect on density of parasitic tunnel current in such structures is studied. It is shown that under studied conditions the behavior of parasitic tunnel current density dependencies along the channel is changed with increasing gate bias
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/305446
ISBN:	978-985-881-530-1
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2023. Квантовая электроника

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
283-286.pdf		1,56 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar