Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305446Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Жевняк, О. Г. | |
| dc.contributor.author | Борздов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-01T07:25:35Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-01T07:25:35Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 283-286. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-530-1 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305446 | - |
| dc.description.abstract | С помощью кинетического моделирования электронного переноса в элементах флеш-памяти методом Монте-Карло исследовано влияние затворного напряжения на величину плотности паразитного туннельного тока на плавающий затвор в этих структурах. Показано, что в рассматриваемых условиях с увеличением напряжения на затворе меняется характер зависимости величины данного тока вдоль проводящего канала элемента флеш-памяти | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти | |
| dc.title.alternative | Simulation of gate bias effect on parasitic tunnel current in flash-memory Cells / O. G. Zhevnyak, A. V. Borzdov, V. M. Borzdov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | By using Monte Carlo simulation of electron transport in flash-memory cells the gate bias effect on density of parasitic tunnel current in such structures is studied. It is shown that under studied conditions the behavior of parasitic tunnel current density dependencies along the channel is changed with increasing gate bias | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 283-286.pdf | 1,56 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.