Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305410
Заглавие документа: Влияние добавок кремния на электрофизические и оптические свойства тонкопленочных покрытий TiAlN
Другое заглавие: The influence of silicon additives on the electrical and optical properties of thin film TiAlN coatings / V. A. Zaikov, A. A. Mikhalenok, S. V. Konstantinov, F. F. Komarov, I. V. Chizhov, A. R. Luchenok
Авторы: Зайков, В. А.
Михалёнок, А. А.
Константинов, С. В.
Комаров, Ф. Ф.
Чижов, И. В.
Лученок, А. Р.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2023
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 147-150.
Аннотация: Методом сканирующей электронной микроскопии (СЭМ) изучены свойства и состав нитридных покрытий TiAlN с добавками кремния (Si). Четырёхзондовым методом проведены измерения поверхностного R и удельного ρ сопротивления. Cпектральный коэффициент отражения R определялся спектрофотометрированием в широком диапазоне длин волн λ = 200 ÷ 2500 нм. Зависимость спектрального коэффициента отражения демонстрирует металлический тип проводимости, который хорошо описывается теорией Друде - Лоренца
Аннотация (на другом языке): The properties and composition of TiAlN nitride coatings with silicon (Si) additives have been studied by scanning electron microscopy (SEM). Measurements of surface R and specific ρ resistivity were carried out by the four-probe method. The spectral reflection coefficient R in a wide wavelength range λ = 200 ÷ 2500 nm was determined by spectrophotometric methods. The dependence of the spectral reflection coefficient demonstrates the metallic type of conductivity, which is well described by the Drude - Lorentz theory
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/305410
ISBN: 978-985-881-530-1
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2023. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
147-150.pdf1,61 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.