Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305193Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Гринюк, Е. В. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, С. Д. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-11-27T12:11:05Z | - |
| dc.date.available | 2023-11-27T12:11:05Z | - |
| dc.date.issued | 2023-11 | - |
| dc.identifier.citation | Журнал прикладной спектроскопии. – 2023. – Т. 90, № 6. | ru |
| dc.identifier.issn | 0514-7506 (Print) | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305193 | - |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы пленки фоторезиста (ФР) NFR 016D4, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Установлено, что при волновых числах <1600 см^–1 наблюдается возрастание фонового поглощения структур ФР/Si, обусловленное воздействием электромагнитного излучения на кремниевую подложку и процессами рассеяния/отражения на границе раздела ФР/Si. Обнаружена асимметричность силового поля ароматического кольца в пленке NFR 016D4. Показано, что особенности спектров пленок ФР NFR 016D4 с большей толщиной обусловлены наличием остаточного растворителя. В облученных пленках обнаружено образование формальдегида в результате фрагментации гидроксиметильных остатков в составе фенолформальдегидной смолы. Радиационно- индуцированные процессы в фоторезистивных пленках NFR 016D4 при дозах до 2×10^15 см^–1 происходят в основном при участии молекул остаточного растворителя либо на побочных продуктах синтеза фоторезистивной пленки. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках задания 2.16 государственной программы научных исследований “Материаловедение, новые материалы и технологии”, подпрограммы “Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника (“Наноструктура”)”. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | ГНУ "Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси" | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Химическая технология. Химическая промышленность | ru |
| dc.title | Инфракрасная Фурье-спектроскопия структур фоторезист/кремний, используемых для обратной литографии | ru |
| dc.title.alternative | Attenuated Total Reflection IR-Spectroscopy of Photoresist/Silicon Structures for Explosive Lithography | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Photoresist (PR) NFR 016D4 films deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation have been studied by attenuated total reflection IR-Fourier spectroscopy. It has been established that at wave numbers <1600 cm^–1, an increase in the background absorption of the PR/Si structures is observed, due to the effect of electromagnetic radiation on the silicon substrate and scattering/reflection processes at the PR/Si interface. The asymmetry of the force field of the aromatic ring in the NFR 016D4 film has been found. It is shown that the features of the spectra of thicker NFR 016D4 photoresist films are due to the presence of residual solvent. In the irradiated films, the formation of formaldehyde has been detected as a result of the fragmentation of hydroxymethyl residues in the composition of the phenol-formaldehyde resin. Radiation-induced processes in NFR 016D4 photoresistive films at doses up to 2×10^15 cm^–1 take place mainly with the participation of residual solvent molecules or on by-products of photoresistive film synthesis. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.