Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862
Title: | Эффект Холла в пористом оксиде кремния на кремнии, заполненном медью и никелем |
Other Titles: | Hall effect in porous silicon oxide on silicon, filled with copper and nickel / S. E. Demyanov, A. V. Petrov, V. Ch. Kruplevich |
Authors: | Демьянов, С. Е. Петров, А. В. Круплевич, В. Ч. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | 2022 |
Publisher: | Минск : БГУ |
Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 371-380. |
Abstract: | Проанализированы температурные и магнитополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне температур 20–300 К в магнитных полях до 10 Тл в системах Si/SiO2 с магнитными (Ni) и немагнитными (Cu) металлами в порах диоксида кремния. Показано, что VH(Т) в системе Si/SiO2 (Cu, Ni) носит сложный характер вплоть до инверсии знака VH, что является следствием наличия различных механизмов электротранспорта. Дано обоснование различия зависимостей VH(Т) для различных металлов. Показано, что при низких температурах в системах с ферромагнитным металлом присутствует аномальный вклад в ЭДС Холла |
Abstract (in another language): | The temperature and magnetic field dependences of the Hall effect are analyzed in the temperature range 20–300 K in magnetic fields up to 10 T in Si/SiO2 systems with magnetic (Ni) and nonmagnetic (Cu) metals in the pores of the silicon dioxide layer. It is shown that VH(Т) in the Si/SiO2 (Cu, Ni) system has a complex character up to the inversion of the sign of VH, which is a consequence of the presence of various mechanisms of electrotransport. The substantiation of the difference between the dependences VH(Т) for various metals is given. It is shown that at low temperatures in systems with a ferromagnetic metal there is an anomalous contribution to the Hall electromotive force |
Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862 |
ISBN: | 978-985-881-440-3 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
371-380.pdf | 632,27 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.