Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862
Заглавие документа: Эффект Холла в пористом оксиде кремния на кремнии, заполненном медью и никелем
Другое заглавие: Hall effect in porous silicon oxide on silicon, filled with copper and nickel / S. E. Demyanov, A. V. Petrov, V. Ch. Kruplevich
Авторы: Демьянов, С. Е.
Петров, А. В.
Круплевич, В. Ч.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2022
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 371-380.
Аннотация: Проанализированы температурные и магнитополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне температур 20–300 К в магнитных полях до 10 Тл в системах Si/SiO2 с магнитными (Ni) и немагнитными (Cu) металлами в порах диоксида кремния. Показано, что VH(Т) в системе Si/SiO2 (Cu, Ni) носит сложный характер вплоть до инверсии знака VH, что является следствием наличия различных механизмов электротранспорта. Дано обоснование различия зависимостей VH(Т) для различных металлов. Показано, что при низких температурах в системах с ферромагнитным металлом присутствует аномальный вклад в ЭДС Холла
Аннотация (на другом языке): The temperature and magnetic field dependences of the Hall effect are analyzed in the temperature range 20–300 K in magnetic fields up to 10 T in Si/SiO2 systems with magnetic (Ni) and nonmagnetic (Cu) metals in the pores of the silicon dioxide layer. It is shown that VH(Т) in the Si/SiO2 (Cu, Ni) system has a complex character up to the inversion of the sign of VH, which is a consequence of the presence of various mechanisms of electrotransport. The substantiation of the difference between the dependences VH(Т) for various metals is given. It is shown that at low temperatures in systems with a ferromagnetic metal there is an anomalous contribution to the Hall electromotive force
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862
ISBN: 978-985-881-440-3
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
371-380.pdf632,27 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.