Эффект Холла в пористом оксиде кремния на кремнии, заполненном медью и никелем

Демьянов, С. Е.; Петров, А. В.; Круплевич, В. Ч.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Демьянов, С. Е.
dc.contributor.author	Петров, А. В.
dc.contributor.author	Круплевич, В. Ч.
dc.date.accessioned	2023-01-26T10:07:04Z	-
dc.date.available	2023-01-26T10:07:04Z	-
dc.date.issued	2022
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 371-380.
dc.identifier.isbn	978-985-881-440-3
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/292862	-
dc.description	Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstract	Проанализированы температурные и магнитополевые зависимости эффекта Холла в диапазоне температур 20–300 К в магнитных полях до 10 Тл в системах Si/SiO2 с магнитными (Ni) и немагнитными (Cu) металлами в порах диоксида кремния. Показано, что VH(Т) в системе Si/SiO2 (Cu, Ni) носит сложный характер вплоть до инверсии знака VH, что является следствием наличия различных механизмов электротранспорта. Дано обоснование различия зависимостей VH(Т) для различных металлов. Показано, что при низких температурах в системах с ферромагнитным металлом присутствует аномальный вклад в ЭДС Холла
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Эффект Холла в пористом оксиде кремния на кремнии, заполненном медью и никелем
dc.title.alternative	Hall effect in porous silicon oxide on silicon, filled with copper and nickel / S. E. Demyanov, A. V. Petrov, V. Ch. Kruplevich
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The temperature and magnetic field dependences of the Hall effect are analyzed in the temperature range 20–300 K in magnetic fields up to 10 T in Si/SiO2 systems with magnetic (Ni) and nonmagnetic (Cu) metals in the pores of the silicon dioxide layer. It is shown that VH(Т) in the Si/SiO2 (Cu, Ni) system has a complex character up to the inversion of the sign of VH, which is a consequence of the presence of various mechanisms of electrotransport. The substantiation of the difference between the dependences VH(Т) for various metals is given. It is shown that at low temperatures in systems with a ferromagnetic metal there is an anomalous contribution to the Hall electromotive force
Располагается в коллекциях:	2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
371-380.pdf		632,27 kB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.