Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854| Title: | Электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения |
| Other Titles: | Electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disuphide / A. V. Baglov, L. S. Khoroshko |
| Authors: | Баглов, А. В. Хорошко, Л. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 334-338. |
| Abstract: | Методами из первых принципов в приближении локальной плотности исследована электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения. Показано, что при переходе к монослою ширина запрещенной зоны увеличивается на 0,21 эВ до 1,47 эВ вследствие влияния квантового размерного эффекта. Моно- и бислои дисульфида рения перспективны для создания гетероструктур и элементной базы стрейнтроники |
| Abstract (in another language): | The electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disulfide has been studied by ab initio methods in the local density approximation. It is shown that the band gap increases by 0.21 eV to 1.47 eV upon transition to a monolayer due to the influence of the quantum size effect. Mono- and bilayers of rhenium disulfide are promising for creating hetero-structures and the element base of straintronics |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 334-338.pdf | 497,04 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.