Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Баглов, А. В. | |
| dc.contributor.author | Хорошко, Л. С. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:07:03Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 334-338. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Методами из первых принципов в приближении локальной плотности исследована электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения. Показано, что при переходе к монослою ширина запрещенной зоны увеличивается на 0,21 эВ до 1,47 эВ вследствие влияния квантового размерного эффекта. Моно- и бислои дисульфида рения перспективны для создания гетероструктур и элементной базы стрейнтроники | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения | |
| dc.title.alternative | Electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disuphide / A. V. Baglov, L. S. Khoroshko | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disulfide has been studied by ab initio methods in the local density approximation. It is shown that the band gap increases by 0.21 eV to 1.47 eV upon transition to a monolayer due to the influence of the quantum size effect. Mono- and bilayers of rhenium disulfide are promising for creating hetero-structures and the element base of straintronics | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 334-338.pdf | 497,04 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.