Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854
Заглавие документа: Электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения
Другое заглавие: Electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disuphide / A. V. Baglov, L. S. Khoroshko
Авторы: Баглов, А. В.
Хорошко, Л. С.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2022
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 334-338.
Аннотация: Методами из первых принципов в приближении локальной плотности исследована электронная структура моно- и бислоев триклинного дисульфида рения. Показано, что при переходе к монослою ширина запрещенной зоны увеличивается на 0,21 эВ до 1,47 эВ вследствие влияния квантового размерного эффекта. Моно- и бислои дисульфида рения перспективны для создания гетероструктур и элементной базы стрейнтроники
Аннотация (на другом языке): The electronic structure of mono- and bilayers of triclinic rhenium disulfide has been studied by ab initio methods in the local density approximation. It is shown that the band gap increases by 0.21 eV to 1.47 eV upon transition to a monolayer due to the influence of the quantum size effect. Mono- and bilayers of rhenium disulfide are promising for creating hetero-structures and the element base of straintronics
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292854
ISBN: 978-985-881-440-3
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
334-338.pdf497,04 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.