Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292831| Заглавие документа: | Диагностика поверхности пленок на основе Ti и V для сенсорных элементов |
| Другое заглавие: | Diagnostics of the surface of films based on Ti and V for sensor elements / S. M. Baraishuk, G. B. Melnikova, D. A. Golosov, A. A. Shevchenok, V. K. Dolgiy |
| Авторы: | Барайшук, С. М. Мельникова, Г. Б. Голосов, Д. А. Шевченок, А. А. Долгий, В. К. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 21-26. |
| Аннотация: | Проведены исследования топографии пленок оксида ванадия осажденных на Si3N4/Si с предварительным осаждением Ti тыльного электрода и без него. Показано, что процессы формирования зеренной структуры наблюдаются при температурах более 300 °С. В результате отжига пленок в атмосфере кислорода при температурах 400 °С формируются покрытия идентичные по структуре с шероховатостью 0,2 нм по площадке 100 мкм 2 , которая практически не зависит от состава подложки. Это указывает на возможность, использовать Ti покрытия для формирования тыльных контактов сенсорных элементов, а всю структуру VO/Ti/Si3N4/Si в качестве термочувствительного элемента |
| Аннотация (на другом языке): | The topography of vanadium oxide films deposited on Si3N4/Si with and without preliminary Ti deposition of the rear electrode was studied. It is shown that the processes of grain structure formation are observed at temperatures above 300 °C. As a result of film annealing in an oxygen atmosphere at temperatures of 400 °C, coatings are formed that are identical in structure with a roughness of 0.2 nm over an area of 100 μm2 , which is practically independent of the composition of the substrate. This indicates the possibility of using Ti coatings to form the back contacts of sensor elements, and the entire VO/Ti/Si3N4/Si structure as a temperature-sensitive element |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292831 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при поддержке Министерства образования Республики Беларусь № ГР 20211250 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.