Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2022. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292831
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБарайшук, С. М.
dc.contributor.authorМельникова, Г. Б.
dc.contributor.authorГолосов, Д. А.
dc.contributor.authorШевченок, А. А.
dc.contributor.authorДолгий, В. К.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:58Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 21-26.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292831-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractПроведены исследования топографии пленок оксида ванадия осажденных на Si3N4/Si с предварительным осаждением Ti тыльного электрода и без него. Показано, что процессы формирования зеренной структуры наблюдаются при температурах более 300 °С. В результате отжига пленок в атмосфере кислорода при температурах 400 °С формируются покрытия идентичные по структуре с шероховатостью 0,2 нм по площадке 100 мкм 2 , которая практически не зависит от состава подложки. Это указывает на возможность, использовать Ti покрытия для формирования тыльных контактов сенсорных элементов, а всю структуру VO/Ti/Si3N4/Si в качестве термочувствительного элемента
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при поддержке Министерства образования Республики Беларусь № ГР 20211250
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleДиагностика поверхности пленок на основе Ti и V для сенсорных элементов
dc.title.alternativeDiagnostics of the surface of films based on Ti and V for sensor elements / S. M. Baraishuk, G. B. Melnikova, D. A. Golosov, A. A. Shevchenok, V. K. Dolgiy
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe topography of vanadium oxide films deposited on Si3N4/Si with and without preliminary Ti deposition of the rear electrode was studied. It is shown that the processes of grain structure formation are observed at temperatures above 300 °C. As a result of film annealing in an oxygen atmosphere at temperatures of 400 °C, coatings are formed that are identical in structure with a roughness of 0.2 nm over an area of 100 μm2 , which is practically independent of the composition of the substrate. This indicates the possibility of using Ti coatings to form the back contacts of sensor elements, and the entire VO/Ti/Si3N4/Si structure as a temperature-sensitive element
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
21-26.pdf1,34 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.