Низкотемпературная неустойчивость электронной системы контакта индий/легированный сурьмой кремний

Трафименко, А. Г.; Данилюк, А. Л.; Прищепа, С. Л.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825

Title:	Низкотемпературная неустойчивость электронной системы контакта индий/легированный сурьмой кремний
Other Titles:	Low-temperature instability of the electron system of indium/antimony-doped silicon contact / A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, S. L. Prischepa
Authors:	Трафименко, А. Г. Данилюк, А. Л. Прищепа, С. Л.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2022
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 214-219.
Abstract:	Представлены результаты моделирования низкотемпературного распределения концентрации инжектированных электронов из индиевого контакта в кремний, легированный сурьмой, с учетом их локализации на нейтральных ловушках в приконтактной области кремния. Показано, что распределение электронного заряда является немонотонным и вырождается в узкий провал на расстоянии немногим более 2 нм от границы раздела, что ведет к возникновению неустойчивости электронной системы. Данный эффект обусловливает осцилляции дифференциального сопротивления при латеральном токопереносе в кремнии
Abstract (in another language):	The results of modeling the low-temperature distribution of the concentration of injected electrons from the indium contact into antimony-doped silicon, considering their localization on neutral traps in the contact region of silicon, are presented. It is shown that the distribution of the electron charge is nonmonotonic and degenerates into a narrow dip at a distance of a little more than 2 nm from the interface, which leads to instability of the electronic system. This effect causes oscillations of differential resistance during lateral current transfer in silicon
Description:	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825
ISBN:	978-985-881-440-3
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
214-219.pdf		794,61 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar