Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Трафименко, А. Г. | |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Прищепа, С. Л. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:57Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:57Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 214-219. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Представлены результаты моделирования низкотемпературного распределения концентрации инжектированных электронов из индиевого контакта в кремний, легированный сурьмой, с учетом их локализации на нейтральных ловушках в приконтактной области кремния. Показано, что распределение электронного заряда является немонотонным и вырождается в узкий провал на расстоянии немногим более 2 нм от границы раздела, что ведет к возникновению неустойчивости электронной системы. Данный эффект обусловливает осцилляции дифференциального сопротивления при латеральном токопереносе в кремнии | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Низкотемпературная неустойчивость электронной системы контакта индий/легированный сурьмой кремний | |
| dc.title.alternative | Low-temperature instability of the electron system of indium/antimony-doped silicon contact / A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, S. L. Prischepa | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The results of modeling the low-temperature distribution of the concentration of injected electrons from the indium contact into antimony-doped silicon, considering their localization on neutral traps in the contact region of silicon, are presented. It is shown that the distribution of the electron charge is nonmonotonic and degenerates into a narrow dip at a distance of a little more than 2 nm from the interface, which leads to instability of the electronic system. This effect causes oscillations of differential resistance during lateral current transfer in silicon | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 214-219.pdf | 794,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.