Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825| Заглавие документа: | Низкотемпературная неустойчивость электронной системы контакта индий/легированный сурьмой кремний |
| Другое заглавие: | Low-temperature instability of the electron system of indium/antimony-doped silicon contact / A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, S. L. Prischepa |
| Авторы: | Трафименко, А. Г. Данилюк, А. Л. Прищепа, С. Л. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 214-219. |
| Аннотация: | Представлены результаты моделирования низкотемпературного распределения концентрации инжектированных электронов из индиевого контакта в кремний, легированный сурьмой, с учетом их локализации на нейтральных ловушках в приконтактной области кремния. Показано, что распределение электронного заряда является немонотонным и вырождается в узкий провал на расстоянии немногим более 2 нм от границы раздела, что ведет к возникновению неустойчивости электронной системы. Данный эффект обусловливает осцилляции дифференциального сопротивления при латеральном токопереносе в кремнии |
| Аннотация (на другом языке): | The results of modeling the low-temperature distribution of the concentration of injected electrons from the indium contact into antimony-doped silicon, considering their localization on neutral traps in the contact region of silicon, are presented. It is shown that the distribution of the electron charge is nonmonotonic and degenerates into a narrow dip at a distance of a little more than 2 nm from the interface, which leads to instability of the electronic system. This effect causes oscillations of differential resistance during lateral current transfer in silicon |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292825 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 214-219.pdf | 794,61 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.