Повышение эффективности кремниевого солнечного элемента легированием никелем

Кенжаев, З. Т.; Оджаев, В. Б.; Исамов, С. Б.; Исмайлов, К. А.; Исмайлов, Б. К.; Иброхимов, А. Б.; Исмаилов, Т. Б.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801

Title:	Повышение эффективности кремниевого солнечного элемента легированием никелем
Other Titles:	Improving the efficiency of a silicon solar cell with nickel alloying / Z. T. Kenzhaev, V. B. Odzhaev, S. B. Isamov, K. A. Ismailov, B. K. Ismaylov, A. B. Ibrokhimov, T. B. Ismailov
Authors:	Кенжаев, З. Т. Оджаев, В. Б. Исамов, С. Б. Исмайлов, К. А. Исмайлов, Б. К. Иброхимов, А. Б. Исмаилов, Т. Б.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2022
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 103-107.
Abstract:	Экспериментально показано, что диффузии никеля из сформированного обогащенного слоя никеля в приповерхностной области кремния, является эффективным методом геттерирования рекомбинационных центров в кремнии и увеличивает эффективность фотоэлемента на 20–25 %
Abstract (in another language):	It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of a photocell by 20–25%
Description:	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801
ISBN:	978-985-881-440-3
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	2022. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
103-107.pdf		422,77 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar