Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Кенжаев, З. Т. | |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | |
| dc.contributor.author | Исамов, С. Б. | |
| dc.contributor.author | Исмайлов, К. А. | |
| dc.contributor.author | Исмайлов, Б. К. | |
| dc.contributor.author | Иброхимов, А. Б. | |
| dc.contributor.author | Исмаилов, Т. Б. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:52Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 103-107. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801 | - |
| dc.description | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе | |
| dc.description.abstract | Экспериментально показано, что диффузии никеля из сформированного обогащенного слоя никеля в приповерхностной области кремния, является эффективным методом геттерирования рекомбинационных центров в кремнии и увеличивает эффективность фотоэлемента на 20–25 % | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Повышение эффективности кремниевого солнечного элемента легированием никелем | |
| dc.title.alternative | Improving the efficiency of a silicon solar cell with nickel alloying / Z. T. Kenzhaev, V. B. Odzhaev, S. B. Isamov, K. A. Ismailov, B. K. Ismaylov, A. B. Ibrokhimov, T. B. Ismailov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of a photocell by 20–25% | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 103-107.pdf | 422,77 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.