Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801| Заглавие документа: | Повышение эффективности кремниевого солнечного элемента легированием никелем |
| Другое заглавие: | Improving the efficiency of a silicon solar cell with nickel alloying / Z. T. Kenzhaev, V. B. Odzhaev, S. B. Isamov, K. A. Ismailov, B. K. Ismaylov, A. B. Ibrokhimov, T. B. Ismailov |
| Авторы: | Кенжаев, З. Т. Оджаев, В. Б. Исамов, С. Б. Исмайлов, К. А. Исмайлов, Б. К. Иброхимов, А. Б. Исмаилов, Т. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 103-107. |
| Аннотация: | Экспериментально показано, что диффузии никеля из сформированного обогащенного слоя никеля в приповерхностной области кремния, является эффективным методом геттерирования рекомбинационных центров в кремнии и увеличивает эффективность фотоэлемента на 20–25 % |
| Аннотация (на другом языке): | It has been shown experimentally that the diffusion of nickel, which is formed by an enriched nickel layer in the near-surface region of silicon, is an effective method for gettering recombination centers in silicon and increases the efficiency of a photocell by 20–25% |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292801 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 103-107.pdf | 422,77 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.