Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292795
Заглавие документа: Контроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019
Другое заглавие: Quality control of semiconductor materials and structures using the SCAN-2019 measuring installation / A. L. Zharin, A. K. Tyavlovsky, K. L. Tyavlovsky, R. I. Vorobey, K. U. Pantsialeyeu, V. A. Mikitsevich, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky
Авторы: Жарин, А. Л.
Тявловский, А. К.
Тявловский, К. Л.
Воробей, Р. И.
Пантелеев, К. В.
Микитевич, В. А.
Пилипенко, В. А.
Петлицкий, А. Н.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2022
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 78-83.
Аннотация: Для комплексного контроля и визуализации пространственного распределения дефектов полупроводниковой пластины разработана измерительная установка сканирующей зондовой электрометрии, реализующая режимы сканирующего зонда Кельвина (SKP), поверхностной фотоЭДС (SPV) и барьерной фотоЭДС (JPV). Повторный контроль поверхности рабочих пластин на разных стадиях технологического процесса с использованием нескольких режимов измерения обеспечивает определение типа дефектов и их потенциального источника в технологическом процессе
Аннотация (на другом языке): To provide complex quality control and visualization of surface defects in a semiconductor wafer, a measuring installation for scanning probe electrometry has been developed. The installation implements three modes of operation including scanning Kelvin probe (SKP), surface photovoltage (SPV) and junction photovoltage (JPV) mode. Repeated control of the same wafer at different stages of the technological process using several measurement modes assures determination of defect types and their potential source in the technological process
Доп. сведения: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292795
ISBN: 978-985-881-440-3
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
78-83.pdf837,81 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.