Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292795
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖарин, А. Л.
dc.contributor.authorТявловский, А. К.
dc.contributor.authorТявловский, К. Л.
dc.contributor.authorВоробей, Р. И.
dc.contributor.authorПантелеев, К. В.
dc.contributor.authorМикитевич, В. А.
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.
dc.contributor.authorПетлицкий, А. Н.
dc.date.accessioned2023-01-26T10:06:51Z-
dc.date.available2023-01-26T10:06:51Z-
dc.date.issued2022
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 78-83.
dc.identifier.isbn978-985-881-440-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/292795-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractДля комплексного контроля и визуализации пространственного распределения дефектов полупроводниковой пластины разработана измерительная установка сканирующей зондовой электрометрии, реализующая режимы сканирующего зонда Кельвина (SKP), поверхностной фотоЭДС (SPV) и барьерной фотоЭДС (JPV). Повторный контроль поверхности рабочих пластин на разных стадиях технологического процесса с использованием нескольких режимов измерения обеспечивает определение типа дефектов и их потенциального источника в технологическом процессе
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleКонтроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019
dc.title.alternativeQuality control of semiconductor materials and structures using the SCAN-2019 measuring installation / A. L. Zharin, A. K. Tyavlovsky, K. L. Tyavlovsky, R. I. Vorobey, K. U. Pantsialeyeu, V. A. Mikitsevich, V. A. Pilipenko, A. N. Petlitsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeTo provide complex quality control and visualization of surface defects in a semiconductor wafer, a measuring installation for scanning probe electrometry has been developed. The installation implements three modes of operation including scanning Kelvin probe (SKP), surface photovoltage (SPV) and junction photovoltage (JPV) mode. Repeated control of the same wafer at different stages of the technological process using several measurement modes assures determination of defect types and their potential source in the technological process
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
78-83.pdf837,81 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.