Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292765| Title: | Формирование наноразмерных островков на поверхности монокристаллических слоев Si/SiGe при импульсном лазерном облучении |
| Other Titles: | Formation of nanosized islands on the surface of single crystalline SiGe layers under pulsed laser irradiation / S. L. Prakopyeu, P. I. Gaiduk |
| Authors: | Прокопьев, С. Л. Гайдук, П. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 514-518. |
| Abstract: | Методами просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния обнаружено, что при воздействии импульсов длительностью 15 нс лазерного излучения на длине волны 1,06 мкм с плотностью энергии 0,66–1,88 Дж/см 2 на монокристаллические слои Si/SiGe толщиной 500 нм, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, происходит модификация поверхностного рельефа слоев SiGe, заключающаяся в формировании наноразмерных островков |
| Abstract (in another language): | Using transmission electron microscopy and Rutherford backscattering spectroscopy, the modification of surface relief and the formation of nanosized islands in 500 nm thick Si/SiGe single crystalline layers was found after pulsed laser irradiation (15 ns pulse duration at a wavelength of 1.06 μm) and an energy density of 0.66–1.88 J/cm2 |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292765 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 514-518.pdf | 859,97 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.