Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292765Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-01-26T10:06:46Z | - |
| dc.date.available | 2023-01-26T10:06:46Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 514-518. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-440-3 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292765 | - |
| dc.description | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах | |
| dc.description.abstract | Методами просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния обнаружено, что при воздействии импульсов длительностью 15 нс лазерного излучения на длине волны 1,06 мкм с плотностью энергии 0,66–1,88 Дж/см 2 на монокристаллические слои Si/SiGe толщиной 500 нм, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, происходит модификация поверхностного рельефа слоев SiGe, заключающаяся в формировании наноразмерных островков | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Формирование наноразмерных островков на поверхности монокристаллических слоев Si/SiGe при импульсном лазерном облучении | |
| dc.title.alternative | Formation of nanosized islands on the surface of single crystalline SiGe layers under pulsed laser irradiation / S. L. Prakopyeu, P. I. Gaiduk | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Using transmission electron microscopy and Rutherford backscattering spectroscopy, the modification of surface relief and the formation of nanosized islands in 500 nm thick Si/SiGe single crystalline layers was found after pulsed laser irradiation (15 ns pulse duration at a wavelength of 1.06 μm) and an energy density of 0.66–1.88 J/cm2 | |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 514-518.pdf | 859,97 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.