Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/288132| Заглавие документа: | Reducing noises of high-speed Bi-JFET charge-sensitive amplifiers during schematic design |
| Авторы: | Dvornikov, O.V. Tchekhovski, V.A. Prokopenko, N.N. Pakhomov, I.V. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Institute of Physics Publishing |
| Библиографическое описание источника: | IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; 2020. |
| Аннотация: | The technique of circuit noise reduction of charge-sensitive amplifiers containing bipolar and junction field-effect transistors is considered. The initial and improved circuit of the integrated charge-sensitive amplifiers using the above mentioned technique, the results of the step-by-step noise reduction when changing the sizes and operating modes of transistors, and improvement of the bias circuits are presente |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/288132 |
| DOI документа: | 10.1088/1757-899X/862/2/022068 |
| Scopus идентификатор документа: | 85086328136 |
| Финансовая поддержка: | The study has been carried out at the expense of the grant from the Russian Science Foundation (Project No. 16-19-00122-P) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Статьи НИУ «Институт ядерных проблем» |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Dvornikov_2020_IOP_Conf._Ser.__Mater._Sci._Eng._862_022068.pdf | 639,64 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.