Характеристика P-I-N диода, содержащего дефекты с глубокими уровнями: аннотация к дипломной работе / Андрей Васильевич Муравейко; БГУ, Факультет прикладной математики и информатики, Кафедра  вычислительной математики; науч. рук. Макаренко Л. Ф.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194

Title:	Характеристика P-I-N диода, содержащего дефекты с глубокими уровнями: аннотация к дипломной работе / Андрей Васильевич Муравейко; БГУ, Факультет прикладной математики и информатики, Кафедра вычислительной математики; науч. рук. Макаренко Л. Ф.
Authors:	Муравейко, Андрей Васильевич
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика
Issue Date:	2022
Publisher:	БГУ, ФПМИ, Кафедра вычислительной математики
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Прикладная математика (научно-производственная деятельность). 2022

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Аннотация_Муравейко_АВ_ПМ.pdf		163,34 kB	Adobe PDF	View/Open