Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194| Заглавие документа: | Характеристика P-I-N диода, содержащего дефекты с глубокими уровнями: аннотация к дипломной работе / Андрей Васильевич Муравейко; БГУ, Факультет прикладной математики и информатики, Кафедра вычислительной математики; науч. рук. Макаренко Л. Ф. |
| Авторы: | Муравейко, Андрей Васильевич |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | БГУ, ФПМИ, Кафедра вычислительной математики |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Прикладная математика (научно-производственная деятельность). 2022 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Аннотация_Муравейко_АВ_ПМ.pdf | 163,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.