Характеристика P-I-N диода, содержащего дефекты с глубокими уровнями: аннотация к дипломной работе / Андрей Васильевич Муравейко; БГУ, Факультет прикладной математики и информатики, Кафедра  вычислительной математики; науч. рук. Макаренко Л. Ф.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Муравейко, Андрей Васильевич	-
dc.date.accessioned	2022-06-30T10:37:51Z	-
dc.date.available	2022-06-30T10:37:51Z	-
dc.date.issued	2022	-
dc.identifier.uri	https://elib.bsu.by/handle/123456789/283194	-
dc.language.iso	ru	ru
dc.publisher	БГУ, ФПМИ, Кафедра вычислительной математики	ru
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Кибернетика	ru
dc.title	Характеристика P-I-N диода, содержащего дефекты с глубокими уровнями: аннотация к дипломной работе / Андрей Васильевич Муравейко; БГУ, Факультет прикладной математики и информатики, Кафедра вычислительной математики; науч. рук. Макаренко Л. Ф.	ru
dc.type	annotation	ru
dc.rights.license	CC BY 4.0	ru
Располагается в коллекциях:	Прикладная математика (научно-производственная деятельность). 2022

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
Аннотация_Муравейко_АВ_ПМ.pdf		163,34 kB	Adobe PDF	Открыть

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.