Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600| Title: | Моделирование подвижности электронов в МОП-транзисторах с учетом рассеяния на фононах: аннотация дипломной работы / Кирилл Александрович Бондарев; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Жевняк Олег Григорьевич |
| Authors: | Бондарев, Кирилл Александрович |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Минск: БГУ |
| Abstract: | Цель работы: Проанализировать влияние рассеяния электронов на фононах на величину подвижности электронов в разных участках проводящего канала короткоканальных МОП-транзисторов. |
| Abstract (in another language): | Purpose of research: to analyze the effect of electron scattering on phonons on the electron mobility in different parts of the conducting channel of short-channel MOS transistors. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Физическая электроника. 2022 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Bonderev_rfe_ref.pdf | 242,89 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.