Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600| Заглавие документа: | Моделирование подвижности электронов в МОП-транзисторах с учетом рассеяния на фононах: аннотация дипломной работы / Кирилл Александрович Бондарев; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Жевняк Олег Григорьевич |
| Авторы: | Бондарев, Кирилл Александрович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск: БГУ |
| Аннотация: | Цель работы: Проанализировать влияние рассеяния электронов на фононах на величину подвижности электронов в разных участках проводящего канала короткоканальных МОП-транзисторов. |
| Аннотация (на другом языке): | Purpose of research: to analyze the effect of electron scattering on phonons on the electron mobility in different parts of the conducting channel of short-channel MOS transistors. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Физическая электроника. 2022 |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Bonderev_rfe_ref.pdf | 242,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.