Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бондарев, Кирилл Александрович | - |
| dc.date.accessioned | 2022-06-27T04:39:22Z | - |
| dc.date.available | 2022-06-27T04:39:22Z | - |
| dc.date.issued | 2022 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/282600 | - |
| dc.description.abstract | Цель работы: Проанализировать влияние рассеяния электронов на фононах на величину подвижности электронов в разных участках проводящего канала короткоканальных МОП-транзисторов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск: БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Моделирование подвижности электронов в МОП-транзисторах с учетом рассеяния на фононах: аннотация дипломной работы / Кирилл Александрович Бондарев; БГУ, факультет радиофизики и компьютерных технологий, кафедра физической электроники и нанотехнологий; науч. рук. Жевняк Олег Григорьевич | ru |
| dc.type | annotation | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Purpose of research: to analyze the effect of electron scattering on phonons on the electron mobility in different parts of the conducting channel of short-channel MOS transistors. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Физическая электроника. 2022 | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Bonderev_rfe_ref.pdf | 242,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.