Многоямный InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной области

Некоркин, С. М.; Байдусь, Н. В.; Самарцев, И. В.; Ершов, А. В.; Афоненко, А. А.; Ушаков, Д. В.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280669

Title:	Многоямный InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной области
Authors:	Некоркин, С. М. Байдусь, Н. В. Самарцев, И. В. Ершов, А. В. Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Нижний Новгород : Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского
Citation:	Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — С. 679-680
Abstract:	Предложена конструкция многоямного InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазера со смещенной активной областью (к р+-эмиттеру) и дополнительным легированным InGaP слоем, предназначенным для снижения заселенности волноводных слоев. Продемонстрирована устойчивая генерация на волноводной моде второго порядка с пиковой мощностью излучения 106 Вт при импульсной токовой накачке длительностью 200 нс.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/280669
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
НАНО-2020v2_679-680.pdf		60,76 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar