Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/280669
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНекоркин, С. М.-
dc.contributor.authorБайдусь, Н. В.-
dc.contributor.authorСамарцев, И. В.-
dc.contributor.authorЕршов, А. В.-
dc.contributor.authorАфоненко, А. А.-
dc.contributor.authorУшаков, Д. В.-
dc.date.accessioned2022-06-03T08:40:45Z-
dc.date.available2022-06-03T08:40:45Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationНанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — С. 679-680ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/280669-
dc.description.abstractПредложена конструкция многоямного InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазера со смещенной активной областью (к р+-эмиттеру) и дополнительным легированным InGaP слоем, предназначенным для снижения заселенности волноводных слоев. Продемонстрирована устойчивая генерация на волноводной моде второго порядка с пиковой мощностью излучения 106 Вт при импульсной токовой накачке длительностью 200 нс.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherНижний Новгород : Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевскогоru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleМногоямный InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной областиru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
НАНО-2020v2_679-680.pdf60,76 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.