Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/280669| Заглавие документа: | Многоямный InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазер с InGaP блокирующим слоем в окрестности активной области |
| Авторы: | Некоркин, С. М. Байдусь, Н. В. Самарцев, И. В. Ершов, А. В. Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Нижний Новгород : Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского |
| Библиографическое описание источника: | Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — С. 679-680 |
| Аннотация: | Предложена конструкция многоямного InGaAs/GaAs/AIGaAs гетеролазера со смещенной активной областью (к р+-эмиттеру) и дополнительным легированным InGaP слоем, предназначенным для снижения заселенности волноводных слоев. Продемонстрирована устойчивая генерация на волноводной моде второго порядка с пиковой мощностью излучения 106 Вт при импульсной токовой накачке длительностью 200 нс. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/280669 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| НАНО-2020v2_679-680.pdf | 60,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.