Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/274245
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorАзарко, И. И.-
dc.contributor.authorСидоренко, Ю. В.-
dc.contributor.authorКарпович, И. А.-
dc.contributor.authorКоновалова, А. В.-
dc.contributor.authorШаронов, Г. В.-
dc.contributor.authorГусаков, Г. А.-
dc.date.accessioned2022-01-14T15:38:39Z-
dc.date.available2022-01-14T15:38:39Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., посвящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21-24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021. – С. 132-136.ru
dc.identifier.issn2663-9939 (Print)-
dc.identifier.issn2706-9060 (Online)-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/274245-
dc.description.abstractИзучено влияние электронного облучения на оптические и парамагнитные свойства синтетических кристаллов алмаза, различающихся структурным совершенством и содержанием никеля. Установлено, что облучение быстрыми электронами с энергией 6 МэВ при флюенсе 1.5×10^17 эл/см^2 приводит к росту концентрации одиночных атомов азота и никеля. Облучение ускоренными электронами синтетических алмазов с высокой концентрацией С-дефекта и последующий высокотемпературный отжиг приводит к изменению только оптических свойств, а парамагнитные характеристики возвращаются к исходным значениям. Предложена модель, объясняющая резкое увеличение концентрации P1-дефекта после электронного облучения дозой 1.5×10^17 эл/см^2 с последующим ее снижением при воздействии дозами 3×10^17 эл/см^2 и выше, связанная с переходом парного азота в пластинах алмаза в С-форму и образованием NV-дефектов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние электронного облучения на никельсодержащие дефекты в алмазеru
dc.title.alternativeEffect of electronic radiation on nickel-containing defects in diamond / I.I. Azarko, Yu.V. Sidorenko, I.A. Karpovich, A.V. Konovalova, G.V. Sharonov, G.А. Gusakovru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeThe effect of electron irradiation on the optical and paramagnetic properties of synthetic diamond crystals, differing in structural perfection and nickel content, has been studied. It was found that irradiation with fast electrons with an energy of 6 MeV at a fluence of 1.5×10^17 el/cm^2 leads to an increase in the concentration of single nitrogen and nickel atoms. Irradiation with accelerated electrons of synthetic diamonds with a high concentration of the C-defect and subsequent high-temperature annealing leads to a change in only the optical properties, while the paramagnetic characteristics return to their original values. A model is proposed that explains the sharp increase in the concentration of the P1 defect after electron irradiation with a dose of 1.5×10^17 el/cm^2, followed by its decrease when exposed to doses of 3×10^17 el/cm^2 and higher, associated with the transition of paired nitrogen in diamond plates to the C-form and the formation of NV defects.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
VITT_2021_132-136.pdf312,51 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.